실용화 수준의 초고집적화가 가능하고 장기간 정보를 읽고 쓸수 있는
새로운 구조의 F램(강유전체메모리)소자가 개발됐다.

한국과학기술연구원 정보전자연구부 김용태 박사팀은 지난 3년간 1억원의
연구비를 들여 D램과 자기기억소자의 장점을 합한기능의 초고집적 기억소자
의 단위소자인 "비파괴 판독형(NDRO) 불휘발성 트랜지스터"를 개발, 국내외
에 특허출원중이라고 23일 밝혔다.

이 소자는 현재 국내외에서 개발중인 F램과는 다른 조성의 강유전체소재를
사용, 트랜지스터만으로도 단위기억소자로 활용가능해 회로구조가 간단하며
정보를 1백억번 이상 반복해 읽고 쓸수 있다.

또 3~5V의 낮은 전압에서도 작동하며 정보입출력시 피로현상이 없어 10년
이상 장기간 사용할수 있다.

이는 이부문 연구에서 가장 앞선 일본 동경대의 소자보다 기능이 1백배
이상 뛰어난 것이다.

김 박사팀은 이 소자에 기록된 정보를 읽는 방식이 정립될 경우 앞으로
5년안에 세계최고 수준의 F램을 실용화할수 있을 것으로 예상하고 있다.

김 박사팀이 개발한 방식으로 F램이 실용화될 경우 기존의 램, 롬은 물론
컴퓨터의 자기기록매체인 하드디스크와 같은 모든 기록매체를 대체, 컴퓨터
의 초소형화가 가능해질 것으로 기대된다.

특히 초소형 이동통신기기로 각종 멀티미디어정보를 무선송수신할수 있으며
비접촉식 인식카드의 사용도 보편화될 것으로 전망된다.

<김재일 기자>

(한국경제신문 1997년 12월 24일자).