[도쿄=이봉구특파원] 일본 전자업체 미쓰비시전기가 2천억엔을 들여 2백56
메가D램을 양산할 반도체공장을 신설한다.

니혼게이자이신문은 7일 미쓰비시가 4메가D램을 주력생산하고 있는 고치공
장 인근에 98년중 16메가D램과 2백56메가D램을 양산할 신공장 건설에 착수,
2000년부터 가동할 예정이라고 보도했다.

미쓰비시는 신공장에서 처음엔 16메가D램을 생산하다가 첨단반도체인 2백56
메가D램으로 생산품목을 바꿀 예정이다.

여기엔 0.3미크론(1미크론은 1천분의1mm)이하의 미세가공기술이 사용된다.

미쓰시시가 2백56메가D램 양산계획을 발표하기는 이번이 처음이다.

이 회사는 종래 구마모토공장 사이조공장과 독일 대만의 현지공장에서 64메
가D램을 생산하겠다고 밝힌바 있다.

미쓰비시는 생산효율을 높이기 위해 신공장 내부를 원형(돔)으로 설계할 예
정이며 최근 반도체사업부내에 프로젝트팀을 신설, 97년중 상세설계를 끝내
기로 했다.
또 신공장을 "21세기 반도체공장 모델"로 삼을 예정이다.

반도체공장을 원형으로 건설할 경우엔 면적이 많이 소요되기 때문에 고치
신공장을 원형으로 건설하기엔 다소 어려움이 있다.
그러나 미쓰비시는 국내외에 건설할 모든 신공장들에 원형방식을 채택하는
방안을 검토중이다.

(한국경제신문 1995년 10월 8일자).