금성계전이 일본에 이어 세계2번째로 고기능IGBT인버터를 개발했다.
금성계전은 5일 20억원의 연구개발비를 투입,2년여간의 연구끝에 새로운
반도체소자인 IGBT를 전력용소자로 이용한 0.75 에서 1.5 급 고기능
범용인버터 6종을 자체기술진에 의해 개발했다고 발표했다.
이 인버터는 고주파전환을 통해 소음을 줄이고 전류파형을 개선했으며
저속력에서도 높은 토크(회전운동률)를 내는 한편 다양한 분야의 부하에
적용할수 있는 풍부한 기능의 소프트웨어도 갖추고 있다.
특히 동급기종으로는 처음으로 사용전압이 4백40V까지 가능토록 설계됐고
6천4백게이트를 집적한 고집적회로소자(LSI)를 사용해 부품수를 줄이고
생산비용을 낮췄다.
또 과전류보호기능 이상발생시 주파수 전류 전압등 인버터상태를 4회까지
기록하는 고장추적기능등도 갖추고 있다.
금성계전은 이번의 0.75 1.5 급에 이어 오는 93년까지 2.2 2백80 까지의
IGBT인버터도 개발할 예정이다.