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"삼성전자, 모바일 D램 전량 내년 2분기부터 20나노 이하로"

입력 2016-10-30 18:04:27 | 수정 2016-10-31 00:59:31 | 지면정보 2016-10-31 A17면
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D램익스체인지 전망
삼성전자가 내년 2분기부터 모바일 D램을 20나노미터(㎚) 이하로만 생산할 것이라는 전망이 나왔다.

반도체 시장조사업체 D램익스체인지는 “삼성전자가 내년 2분기부터 모바일용 D램을 20㎚ 83%, 18㎚ 17%로 생산하게 될 것”이라는 관측을 지난 29일 내놨다. 현재 삼성전자의 D램 생산 비중은 20㎚가 82%, 18㎚가 12%, 25㎚가 6%로 추산된다. 삼성전자는 지난 4월 세계 최초로 18㎚ D램을 양산한다고 밝힌 바 있다. 10㎚대 D램 생산을 시작한 지 1년 만에 모든 D램을 20㎚ 이하로 집적하게 되는 셈이다.

이 같은 속도는 메모리반도체업계의 다른 업체들과 비교해 1년 이상 빠른 수준이다. 미국의 마이크론은 30㎚가 20%, 20㎚는 80%의 비중으로 D램을 생산하고 있다. D램익스체인지는 마이크론이 내년 말까지도 10㎚대 양산에 성공하지 못할 것으로 관측했다.

D램은 미세화 수준이 높아질수록 전력 소모는 줄고 생산성은 높아진다. 외부 전력을 사용하는 PC와 달리 배터리에 의존하는 모바일 쪽으로 D램 시장이 커지면서 미세화 수준이 높은 D램 수요도 늘고 있다.

지난 6월 말을 기준으로 세계 모바일 D램 시장 점유율은 삼성전자가 61.5%, SK하이닉스가 25.1%, 마이크론이 11.4%다. 삼성전자가 모바일 D램을 20㎚ 이하로만 생산하면 점유율이 더 높아질 공산이 커진다.

노경목 기자 autonomy@hankyung.com

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